Toinen keskustelun arvoinen vaihtoehto on käyttää FGH30N60LSD-laitteita. Se on 30A/600V IGBT, jonka kyllästysjännite VCE(SAT) on vain 1,1V. Sen sammutushäviö EOFF on erittäin korkea, saavuttaen 10mJ, joten se soveltuu vain matalataajuiseen muuntamiseen. 50 milliohmin MOSFETin päällä oleva RDS(ON) käyttölämpötilassa on 100 milliohmia. Siksi 11A:ssa sillä on sama VDS kuin IGBT:n VCE:ssä (SAT). Koska tämä IGBT perustuu vanhempaan häiriötekniikkaan, VCE(SAT) ei muutu paljon lämpötilan mukaan. Siksi tämä IGBT voi vähentää kokonaishäviötä lähtösillassa, mikä lisää invertterin kokonaishyötysuhdetta. FGH30N60LSD IGBT:n vaihtaminen virranmuunnostekniikasta toiseen omistettuun topologiaan puolijakson välein on myös erittäin hyödyllistä. IGBT:tä käytetään tässä topologisena kytkimenä. Nopeassa muunnoksessa käytetään tavanomaisia ja nopean palautumisen superliitoslaitteita. 1200 V:n dedikoidulle topologialle ja täydelliselle siltarakenteelle edellä mainittu FGL40N120AND sopii erittäin hyvin uuden korkeataajuisen aurinkoinvertterin kytkimeksi. Kun erikoistekniikka vaatii diodeja, Stealth II, Hyperfast™ II -diodit ja hiilipiidiodit ovat hyviä ratkaisuja.

Ole hyvä ja ota näkemys ja ymmärrät meitä paremmin:

20000 watt pure sine wave ac inverter